Position:

Professor,

Department of General Physics and Solid State Physics,

Faculty of Physics and Mathematics

Building number 7, 2nd floor, auditorium 205

Works in the KPI since 2000

Teaches at faculties:

2000-2004 - Physical-Technical Institute;

From 2013 - Faculty of Physics and Mathematics 

Disciplines: Physics of Nanosystems

Education:

Higher, Kiev Polytechnic Institute, year of issue - 1975 (diploma with honors)

Degree:

Doctor of Physics and Mathematics, specialty: physics of semiconductors and dielectrics

Academic status:

Professor in the field of physics of semiconductors and dielectrics

Recent methodological work:

Назаров О.М., Нищенко М.М. «Наноструктури і нанотехнології», навчальний посібник (Рекомендовано МОН України) Київ 2012, 248 с.

Main scientific works:

Опубліковано більше 250 наукових робіт в наукових журналах в тому числі 8 патентів і авторських свідоцтв.

Monographs

1. Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices, ed. by J.-P.Colinge, V.S.Lysenko and A.N.Nazarov, Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 1994 (290 pp.).
2. Perspectives, Science and Technology for Novel Silicon on Insulator Devices, ed. by P.L.F. Hemment, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, Kluwer, Dordrecht, 2000 (344 pp.)
3. Progress in SOI Structures and Devices Operating at Extreme Conditions, ed. by F.Balestra, A.N.Nazarov and V.S.Lysenko, Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 2002 (350 pp.)
4. Science and Technology of Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices Operating in a Harsh Environment, ed. by D.Flandre, A.N.Nazarov and P.L.F.Hemment, Dordrecht: Kluwer Academic Publishers, 2005 (348 pp.)
5. Nanoscaled Semiconductor-On-Insulator Structures and Devices, ed. by S.Hall, A.N.Nazarov and V.S.Lysenko, Springer, 2007 (368 pp.)
6. Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications, ed. By A.N. Nazarov, J.P. Colinge, F. Balestra et. al., Springer, 2011 (456 pp.)
7. A.Nazarov, F.Balestra, V. Kilchytska, D. Flandre, Functional Nanomateriuals and Devices for Electronics, Sensors and Energy Harvesting. Heidelberg /New York/ Dordrecht / London, Springer 2014 (467 p.) - ISBN 978-3-319-08803-7.

Sections in collective monographs

1. В.С. Лысенко, А.Н. Назаров, В.И. Турчаников, Электрофизические свойства МДП структур, имплантированных ионами бора, в «Проблемы физики полупроводников»/ п.ред. О.В.Снитко, Киев: Наукова думка, 1981. -C.127-152.

2. A. Nazarov, and V. Turchanikov, Complex nature of charge trapping and retention in NC NVM structures, in “Nanocrystals”, ed. By Y. Masuda, Crotia: Sciyo. – 2010. – P.205-230.

3. Евтух В.А., Назаров А.Н., Лысенко В.С. Метрология приборов нанокристаллической энергонезависимой памяти методом емкостной диагностики // Наноструктурные системы и материалы: исследования в Украине / под ред. А.Г.Наумовца – Киев: Академпериодика, 2014. – с.534-543.

4. Васин А.В., Русавский А.В., Назаров А.Н., Лысенко В.С., Калабухова Е.Н., Савченко Д.В., Рудько Г.Ю., Тертых В.А., Козакевич Р.Б., Севостьянов С.В., Пирятинский Ю.П. Фотолюминесценция в наноструктурированных композитах на основе SiO2:C // Наноструктурные системы и материалы: исследования в Украине / под ред. А.Г.Наумовца – Киев: Академпериодика, 2014. – с.338-347.

Editing collections and magazines

1.  Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Application // Advanced Material Research / ed. by A.N.Nazarov, and J.P.Raskin. - Zurich-Durnten, Zwitzerland: Trans Tech Publication, 2011. V.276 (216 p)

2.      Functional Nanomaterials and Devices VII // Advanced Material Research / ed. by A.N.Nazarov, V.S.Lysenko and D. Flandre. - Zurich-Durnten, Zwitzerland: Trans Tech Publication, 2014. V.854 (168 p).

3.      Functional Nanomaterials and Devices // Journal Nano Research / ed. by A.N.Nazarov, V.S.Lysenko, D. Flandre, and Y.V. Gomeniuk. - Pfafikon, Zwitzerland: Trans Tech Publication, 2016. V.39 (280 p)

Selected works in recent years:

1. A.N. Nazarov, I.P. Tyagulskyy, S.I. Tyagulskiy, L. Rebohle, W. Skorupa, J. Biskupek, and U. Kaiser, Correlation between electroluminescence and charge trapping in multi-color Eu implanted Si-based light-emitting diodes, Physica E, V.41, P. 902–906 (2009).
2. Rudenko T., Kilchytska V., Burignat S., Raskin J.–P., Andrieu F., Faynot O., Nazarov A., Lysenko V.S., Flandre D. Transconductance and mobility behaviors in UTB SOI MOSFETs with standard and thin BOX, Proceedings of EUROSOI 2009, Jan. 2009, pp.111-112.
3. Y. Y. Gomeniuk, Y. V. Gomeniuk, A. N. Nazarov, V. S. Lysenko, H. J. Osten, and A. Laha, Interface and Bulk Properties of MBE-Grown Rare-Earth Metal Oxides on Silicon, ECS Transactions, vol.25 (6), pp.353-358 (2009).
4. L. Rebohle, J. Lehmann, S. Prucnal, A. Nazarov, I. Tyagulskii, S. Tyagulskii, A. Kanjilal, M. Voelskow, D. Grambole, W. Skorupa, and M. Helm, Anomalous wear-out phenomena of europium-implanted light emitters based on a metal-oxide-semiconductor structure, Journal of Applied Physics, V. 106, N. 12, P. 123103 1-10 (2009).
5. S. Tyagulskiy, I. Tyagulskyy, A. Nazarov, V. Lysenko, L. Rebohle, J. Lehmann, W. Skorupa, Electroluminescence, charge trapping and quenching in Eu implantes SiO2Si structures, Microelectronic Engineering, v.86, pp. 1954–1956 (2009)
6. A.V. Vasin, V.I. Kushnirenko, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, Yukari Ishikawa, J. Salonen, Nature of white photoluminescence in SiO2 :C layers, Technical Physical Lett., V.35, N6, pp.559-563 (2009).
7. A.V. Vasin, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, G.Yu. Rudko, A.A. Konchits, Y. Ishikawa, Light-emitting properties of amorphous Si:C:O:H layers fabricated by oxidation of carbon-rich a-Si:C:H films, Solid State Sciences, V.11, N10,pp. 1833–1837 (2009)
8. E.N. Kalabukhova, S.N. Lukin, D.V. Savchenko, B.D. Shanina, A.V. Vasin, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, A.V. Rusavsky, J. Hoentsch, and Y. Koshka, The EPR study of the carbon and silicon related defects in carbon-rich hydrogenated amorphous silicon-carbon films, Phys. Rev. B, V. 81, P. 155319-1-9, (2010).
9. J.-P. Colinge, C.-W. Lee, I. Ferain, N. D. Akhavan, R. Yan, P. Razavi, R. Yu, A. N. Nazarov,. and R. T. Doria, Reduced electric field in junctionless transistors, Applied Physics Letters, V. 96, N 7, P. 073510-1 -3 (2010).
10. C.-W. Lee, A.N. Nazarov, I. Ferain, N.D. Akhavan, R. Yan, P. Razavi, R. Yu, R. T. Doria, and J.-P. Colinge, Low subthreshold slope in junctionless multigate transistors, Applied Physics Letters, V. 96, N 10, 102106-1 -3 (2010).
11. A.N. Nazarov, S.I. Tiagulskyi, I.P. Tyagulskyy, V. S. Lysenko, L. Rebohle, J. Lehmann, S. Prucnal, M. Voelskow, and W. Skorupa, The effect of rare-earth clustering on charge trapping and electroluminescence in rare-earth implanted metal-oxide-semiconductor light-emitting devices, Journal of Applied Physics, V. 107, N. 12, P. 123112 1-14 (2010).
12. T. Rudenko, V. Kilchytska, S. Burignat , J.-P. Raskin, F. Andrieu, O. Faynot, Y. Le Tiec, K. Landry, A. Nazarov, V.S. Lysenko, D. Flandre, Experimental study of transconductance and mobility behaviors in ultra-thin SOI MOSFETs with standard and thin buried oxides, Solid-State Electronics, V. 54, pp.164–170 (2010)
13. A.N. Nazarov, I. Ferain, N. D. Akhavan, P. Razavi, R. Yu, and J. P. Colinge, Random telegraph-signal noise in junctionless transistors. Applied Physics Letters, V.98, P.092111-1-3, 2011.
14. A.N. Nazarov, I. Ferain, N.D. Akhavan, P. Razavi, R. Yu, and J. P. Colinge, Field-effect mobility extraction in nanowire field-effect transistors by combination of transfer characteristics and random telegraph noise measurements. Applied Physics Letters, V.99, P. 073502-1-3 (2011).
15. A.N. Nazarov, I. Ferain, N. Dehdashti Akhavan, P. Razavi, R. Yu, J.-P. Colinge Field-effect mobility extraction in nanowire field-effect transistors by combination of transfer characteristics and random telegraph noise measurements. Applied Physics Letters V.99. P. 073502 (2011).
16. T. Rudenko, V. Kilchytska, M. K. Md Arshad, J.-P. Raskin, A. Nazarov, and D. Flandre, On the MOSFET threshold voltage extraction by transconductance and transconductance-to-current ratio change methods: Part I - Effect of gate-voltage-dependent mobility, IEEE Transactions on Electron Device, V.58, N 12, P. 4172-4179 (2011).
17. T. Rudenko, V. Kilchytska, M. K. Md Arshad, J.-P. Raskin, A. Nazarov, and D. Flandre, On the MOSFET threshold voltage extraction by transconductance and transconductance-to-current ratio change methods: - Effect of drain voltage, IEEE Transactions on Electron Devices, V.58, N 12, P. 4180-4188 (2011).
18. A.V. Vasin , Sh. Muto, Yu. Ishikawa, A.V. Rusavsky, T. Kimura, V.S. Lysenko, and A.N. Nazarov, Comparative study of annealing and oxidation effects in SiC:H and a-SiC thin films deposited by radio-frequency magnetron sputtering techniques. Thin Solid Films, V.519, No.7, P. 2218–222 (2011).
19. Y.Y. Gomeniuk, Y.V. Gomeniuk, A.N. Nazarov, P.K. Hurley, K. Cherkaoui, S. Monaghan, P.-E. Hellstrom, H.D.B. Gottlob, J. Schubert, J.M.J. Lopes, Electrical Properties of High-K LaLuO3 Gate Oxide for SOI MOSFETs, Advanced Materials Research, V. 276, P.87-96 (2011).
20. Rudenko T., Nazarov A., Ferain I., Das S., Yu R., Barraud S., Razavi P. Mobility enhancement effect in heavily doped junctionless nanowire silicon-on-insulator metal-oxide-semiconductor field-effect transistors// Applied Physics Letters. – 2012. – V.101. – P.213502.
21. Gomeniuk Y.V., Gordienko S.O., Nazarov A.N., Vasin A.V., Rusavsky A.V., Stepanov V.G., Lysenko V.S., Ballutaud D., Ashok S. Effect of vacuum annealing on charge transport and trapping in a-Si1−xCx:H/c-Si heterostructures// Journal of Non-Crystalline Solids. – 2012. – V.358. – P.168–173.
22. R. Yu, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, S. Das, I. Ferain, P. Razavi, M. Shayesteh, A. Kranti, R. Duffy, J.-P. Colinge, Impact ionization induced dynamic floating body effect in junctionless transistors, Solid-State Electronics, v.90, N12, p.28-33 (2013)
23. A.N. Nazarov, S.O. Gordienko, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, V.S. Lysenko, and V.P. Popov, Characterization of graphene layers by Kelvin probe force microscopy and micro-Raman spectroscopy, Phys. Status Solidi C, v.10, No. 7–8, 1172–1175 (2013)
24. I.P. Tyagulskii, S.I. Tyagulskii, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko, K. Cherkaoui, P.K. Hurley, Thermally activated analysis of LaSiOx/Si and GdSiOx/Si structures at cryogenic temperatures, Microelectronic Engineering, v.109, pp. 31–34 (2013)
25. T. Rudenko, A. Nazarov, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui, P. Razavi, G. Fagas, Electron mobility in heavily doped junctionless nanowire SOI MOSFETs, Microelectronic Engineering, v.109, pp. 326–329 (2013)
26. T. Rudenko, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui, and A. Nazarov, Method for Extracting Doping Concentration and Flat-Band Voltage in Junctionless Multigate MOSFETs Using 2-D Electrostatic Effects, IEEE Electron Device Letters, V. 34, N8, pp. 957-959 (2013)
27. T. Rudenko, A. Nazarov, V. Kilchytska, D. Flandre, V. Popov, M. Ilnitsky, V. Lysenko, (299) Revision of interface coupling in ultra-thin body silicon-on-insulator MOSFETs, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.16, N3, pp.299-314 (2013).
28. Y.Y. Gomeniuk, Y.V. Gomeniuk, A.N. Nazarov, S. Monaghan, K. Cherkaoui, É. O’Connor, I. Povey, V. Djarab and P.K. Hurley, Electrical Properties and Charge Transport in the Pd/Al2O3/InGaAs MOS Structure, ECS Transactions, vol.58 (7), pp.379-384 (2013)
29. A.N. Nazarov, A.V. Vasin, S.O. Gordienko, P.M. Lytvyn, V.V. Strelchuk, A.S. Nikolenko, A.S. Hirov, A.V. Rusavsky, V.P. Popov, and V.S. Lysenko, Graphene layers fabricated from the Ni/a-SiC bilayer precursor, Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, v.16, N4, pp.335-341 (2013).
30. A.N. Nazarov, S.O. Gordienko, P.M. Lytvyn, A.A. Stadnik, Yu.Yu. Gomeniuk, A.V. Vasin, A.V. Rusavsky, T.M. Nazarova, V.S. Lysenko, Carbon-rich nanostructurated a-SiC on Si heterostructures for field effect electron emission, Advanced Materials Research, Vol. 854, pp 59-67 (2014)
31. T. Rudenko, R. Yu, S. Barraud, K. Cherkaoui, P. Razavi, G. Fagas, and A.N. Nazarov, On the mobility behavior in highly doped junctionless nanowire SOI MOSFETs, Advanced Materials Research, Vol. 854, pp 35-43 (2014)
32. T. Rudenko, M.K. Md Arshad, J.-P. Raskin, A. Nazarov, D. Flandre, V. Kilchytska, On the gm/ID-based approaches for threshold voltage extraction in advanced MOSFETs and their application to ultra-thin body SOI MOSFETs, Solid-State Electronics, v.97, p.52-58 (2014)

33. Skryshevsky VA., Milovanov YuS., Gavrilchenko IV., Tiagulskyi SI., Rusavsky AV., Lysenko VS., Nazarov ANImpedance spectroscopy of single graphene layer at gas adsorption // Physica Status Solidi (A). – 2015. – V. 212. – N9. – pp. 1941–1945.

34. A.V. Vasin, Y. Ishikawa, A.V. Rusavsky, A.N. Nazarov, A.A. Konchitz, V.S. Lysenko,  Photoluminescent properties of oxidized stochiometric and carbon-rich amorphous Si1−xCx:H films // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2015. - V.18. - N1. - pp.63-70.

35. Okholin P.N., Glotov V.I., Nazarov A.N., Yuchymchuk V.O., Kladko V.P., Kryvyi S.B., Lytvyn P.M., Tiagulskyi S.I., Lysenko V.S., Shayesteh M., Duffy R
RF plasma treatment of shallow ion-implanted layers of germanium // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2016. –V.42. – pp.204-209.

36. Rudenko T., Nazarov A., Kilchytska V., Flandre D. A review of special gate coupling effects in long-channel SOI MOSFETs with lightly doped ultra-thinbodies and their compact analytical modeling // Solid-State Electronics. – 2016. -V. 117. - pp.66–76.

 

37. Ievtukh V., Nazarov A. Silicon nanocrystalline nonvolatile memory. Characterization and analysis // Journal of Nano Research. – 2016. - Vol. 39. - pp 134-150.

Patents:

1. Щербакова М.Ф., Назаров А.Н., Лысенко В.С., Ляшенко А.Ф. Способ изготовления запоминающих элементов, а.с. СССР №1074312 от 15.10.1983.

2. Щербакова М.Ф., Назаров А.Н., Лысенко В.С., Локшин М.М. Полупроводниковый датчик температуры, а.с. СССР №1191756 от 15.07.1985.

3. Назаров А.Н., Лысенко В.С., Литовский Р.Н., Руденко Т.Е. Способ определения эффективной концентрации легирующей примеси в приповерхностном полупроводниковом слое с противоположным относительно подложки типом проводимости и глубины металлургического p-n перехода в МДП-структуре, а.с. СССР №1308011 от 03.01.1987.

4. Локшин М.М., Назаров А.Н., Лысенко В.С., Руденко Т.Е. Способ отжига полупроводниковых приборов и интегральных схем, а.с. СССР №1345955 от 15.06.1987.

5. Назаров А.Н., Лысенко В.С., Куницкий И.Э. Безвакуумный криостат, Патент Росийской Федерации №2006734 (1992).

6. Skorupa W., Nazarov A.N., Yankov R.A.,. Gebel T. Verfahren zur Behandlung Silizium-basierter Licht-emitter, Deutsche Patentanmeldung DE 103 13 727.0 (2003).

7. Васін А.В., Локшин М.М., Лисенко В.С., Назаров О.М., Русавський А.В. Спосіб одержання фотолюмінісцентного шару, що не містить рідкісноземельних металів // Патент України № 102635 від 25.07.2013.

8. Васін А.В., Локшин М.М., Лисенко В.С., Назаров О.М., Русавський А.В., Тьортих В.А., Больбух Ю.М., Козакевич Р.Б. Спосіб виготовлення люмінофору, якій не містить металевих домішок, та люмінофор з інтенсивною білою фотолюмінесценцією, виготовлений за даним способом // патент України №101295 від 11.03.2013.

9. Васін А.В., Кисіль Д.В., Локшин М.М., Лисенко В.С., Назаров О.М., Русавський А.В., Севостьянов С.В., Тьортих В.А. Спосіб синтезу люмінофору на основі нанокомпозиту SiO2:C та порошок люмінофору з білою фотолюмінесценцією, виготовлений за даним способом// Патент України № 108463 від 27.04.2015.

 

10. Євтух В.А., Назаров О.М., Лисенко В.С., Турчаніков В.І., Локшин М.М. Способ визначення постійного часу зберігання заряду діелектриком у комірках нанокристалічної енергонезалежної пам’яті зі структурою метал-діелектрик-напівпровідник // Патент України № 108830 від 10.06.2015

Collaboration with academic institutions:

Головний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАНУ.
Співпрацює з Київським національним університетом ім. Тараса Шевченка, Національним авіаційним університетом, Інститутом фізики НАН України, Інститутом надтвердих матеріалів ім. В.Н.Бакуля НАН України, Інститутом хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України, Catholic University Louvain-la-Neuve (Бельгія), Tyndall National Institute (Корк, Ірландія), Науковий центр Россендорфу, Інститут фізики іонних пучків і матеріознавства (Дрезден, ФРН)

Член міжнародної редакційної колегії журналу “Advances in Nano Research” (Південна Корея).

Рецензент міжнародних журналів: Solid State Electronics; Journal of Applied Physics, Applied Physical Letters, IEEE Electron Device Letters, Journal of  Luminescence.

Awards:

1. Лауреат Державної премії України з науки і техніки за 2006 рік.
2. Сеньйор-мембер наукового міжнародного товариства інженерів електронної техніки (США) з 2000 року.