Посада
доцент
Загальний стаж роботи
Працює в КПІ з 2025 року
Освіта
Вища
Науковий ступінь, вчене звання
Доктор фізико-математичних наук, спеціальність: фізика твердого тіла. Старший науковий співробітник
Діяльність
Старший науковий співробітник в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Викладає на факультетах
ФМФ
Дисципліни
“Методи класичної молекулярної динаміки”
Наукові інтереси
Посилання на наукові профілі
Керівництво науковими проєктами
Відзнаки
Наукові публікації (2020-2025)
Redko, R., Shvalagin, V., Milenin, G., Redko, S., & Sarikov, A. (2024). Shift of plasmon resonance in silver nanoparticles: effect of magnetic field pre-treatment. Materials Research Express, 11(10), 105012.
Shmahlii, S., & Sarikov, A. (2024). Influence of extended defects on melting behavior of 3C-SiC by molecular dynamics simulations. Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 27(4), 389-396.
Sarikov, A., Semenenko, M., & Shahan, S. (2024). Percolation threshold in annealed ultrathin SiO x films by 2D Monte Carlo simulations. CrystEngComm.
Evtukh, A., Kizjak, A., Bratus, O., Voitovych, M., Romanyuk, V., Mamykin, S., … & Sarikov, A. (2023). Structure and electrical conductivity of nanocomposite SiOxNy (Si) and SiAlzOxNy (Si) films. Journal of Alloys and Compounds, 960, 170879.
Lisovskyy, I. P., Voitovych, M. V., Sarikov, A. V., Zlobin, S. O., Lukianov, A. N., Oberemok, O. S., & Dubikovsky, O. V. (2023). Infrared study of the structure of silicon oxynitride films produced by plasma enhanced chemical vapor deposition. Journal of Non-Crystalline Solids, 617, 122502.
Sarikov, A. (2023). Thermodynamic theory of phase separation in nonstoichiometric Si oxide films induced by high-temperature anneals. Nanomanufacturing, 3(3), 293-314.
Semenenko, M., Dusheiko, M., Okrepka, G., Redko, R., Antonin, S., Hladkovskyi, V., … & Sarikov, A. (2022). Vertically-aligned pn junction Si solar cells with CdTe/CdS luminescent solar convertors. Thin Solid Films, 761, 139536.
Via, F. L., Zimbone, M., Bongiorno, C., La Magna, A., Fisicaro, G., Deretzis, I., … & Wellmann, P. (2021). New approaches and understandings in the growth of cubic silicon carbide. Materials, 14(18), 5348.
Zimbone, M., Sarikov, A., Bongiorno, C., Marzegalli, A., Scuderi, V., Calabretta, C., … & La Via, F. (2021). Extended defects in 3C-SiC: Stacking faults, threading partial dislocations, and inverted domain boundaries. Acta Materialia, 213, 116915.
Barbisan, L., Sarikov, A., Marzegalli, A., Montalenti, F., & Miglio, L. (2021). Nature and Shape of Stacking Faults in 3C‐SiC by Molecular Dynamics Simulations. physica status solidi (b), 258(6), 2000598.
Scalise, E., Sarikov, A., Barbisan, L., Marzegalli, A., Migas, D. B., Montalenti, F., & Miglio, L. (2021). Thermodynamic driving force in the formation of hexagonal-diamond Si and Ge nanowires. Applied Surface Science, 545, 148948.
Fadaly, E. M., Marzegalli, A., Ren, Y., Sun, L., Dijkstra, A., De Matteis, D., … & Verheijen, M. A. (2021). Unveiling planar defects in hexagonal group IV materials. Nano Letters, 21(8), 3619-3625.
Sarikov, A., Marzegalli, A., Barbisan, L., Zimbone, M., Bongiorno, C., Mauceri, M., … & Miglio, L. (2021). Mechanism of stacking fault annihilation in 3C-SiC epitaxially grown on Si (001) by molecular dynamics simulations. CrystEngComm, 23(7), 1566-1571.
Op het Veld, R. L., Xu, D., Schaller, V., Verheijen, M. A., Peters, S. M., Jung, J., … & Bakkers, E. P. (2020). In-plane selective area InSb–Al nanowire quantum networks. Communications Physics, 3(1), 59.
Sarikov, A. (2020). Crystallization behavior of amorphous Si nanoinclusions embedded in silicon oxide matrix. physica status solidi (a), 217(4), 1900513.
Scalise, E., Barbisan, L., Sarikov, A., Montalenti, F., Miglio, L., & Marzegalli, A. (2020). The origin and nature of killer defects in 3C-SiC for power electronic applications by a multiscale atomistic approach. Journal of Materials Chemistry C, 8(25), 8380-8392.
Співпраця з науковими установами
- Київський національний університет ім. Тараса Шевченка